企业简介
南京国盛电子有限公司前身是信息产业部电子第五十五研究所电子材料产品部,地处南京经济技术开发区,专业从事半导体硅外延材料的研发及批量生产. 公司设备先进,拥有LPE,Gemini等公司生产的多种型号外延炉,能适应客户不同外延参数需要;测试仪器有C-V测试仪,红外测厚仪,扩展电阻测试仪,四探针测试仪等;超净面积达到400平方米,洁净度10级.产品系列从3'到8'的P型和N型外延片,产能为8万片/月(4'等效).外延层电阻率和厚度满足国内外分立器件和集成电路厂家需要. 公司本着'技术创新,质量为本,全员参与,顾客上'的质量方针.努力增强技术创新能力,提升产品质量,提高服务水平,竭诚为您服务,成为您满意的合作伙伴!
南京国盛电子有限公司的工商信息
- 320192000001518
- 91320115754121757B
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2003年10月27日
- 铁斌
- 15000.000000
- 2003年10月27日 至 2023年10月26日
- 南京市江宁区市场监督管理局
- 2017年12月26日
- 南京江宁经济技术开发区正方中路166号
- 半导体材料、电子元器件、集成电路芯片、电子产品研制、开发、生产、加工、销售、测试、检测、化验、维修及技术咨询、技术服务、技术转让；金属材料、磁性原料、机电设备、通讯器材、计算机及配件销售；实业投资；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定企业经营或禁止进出口的商品及技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
南京国盛电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 南京国盛电子有限公司 | www.gs-epi.com |
| 网站 | 南京国盛电子有限公司 | http://www.gs-epi.com |
南京国盛电子有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 14258019 |  |
图形 | 2014-03-27 | 硅外延片；单晶硅；芯片(集成电路)；电子芯片；多晶硅；发光二极管(LED)；晶体管(电子)；集成电路用晶片；三极管；半导体器件； | 查看详情 |
| 2 | 14258017 |  |
图形 | 2014-03-27 | 工程绘图；科学研究；质量控制；替他人研究和开发新产品；材料测试；工业品外观设计；包装设计；信息技术咨询服务；网站设计咨询；无形资产评估； | 查看详情 |
| 3 | 14258020 |  |
国盛 | 2014-03-27 | 三极管；多晶硅；单晶硅；芯片(集成电路)；半导体器件；硅外延片；电子芯片；集成电路用晶片；发光二极管(LED)；晶体管(电子)； | 查看详情 |
| 4 | 14258018 |  |
图形 | 2014-03-27 | 名片；印刷品；小册子(手册)；杂志(期刊)；说明书；宣传画；图画；照片(印制的)；包装用纸袋或塑料袋(信封、小袋)；纸箱； | 查看详情 |
南京国盛电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN100501925C | 6″VDMOS管用硅外延片的制造方法 | 2009.06.17 | 本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，首先衬底片的选用尤为重要，选用的衬底片既要符合器 |
| 2 | CN104103499B | 一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法，其步骤为：选择合适的腐蚀流量和腐蚀时间，减小腐蚀 |
| 3 | CN205223358U | 氢气自动供应集成控制系统 | 2016.05.11 | 本实用新型公开了一种氢气自动供应集成控制系统，包括制氢设备、一级纯化设备、缓冲罐、二级纯化设备、氢气 |
| 4 | CN205177802U | 平板基座支撑装置 | 2016.04.20 | 本实用新型公开了一种平板基座支撑装置，包括由石英制成的圆柱状的支撑体，所述支撑体的一端中心开设圆柱状 |
| 5 | CN205151744U | 适于8英寸硅外延工艺系统的三氯氢硅供应装置 | 2016.04.13 | 本实用新型公开了一种适于8英寸硅外延工艺系统的三氯氢硅供应装置，其特征在于：包括为外延工艺供应物料的 |
| 6 | CN205146772U | 一种新型外延炉石英件清洗机 | 2016.04.13 | 本实用新型公开了一种新型外延炉石英件清洗机，包括机体，机体前部设有正门，机体后部封闭，机体侧部设有第 |
| 7 | CN205159278U | 一种便于清洁的ASM2000PLUS外延机台后法兰装置 | 2016.04.13 | 本实用新型公开了一种便于清洁的ASM2000 PLUS外延机台后法兰装置，包括后法兰、第一冷却水管、 |
| 8 | CN105439067A | 适于8英寸硅外延工艺系统的三氯氢硅供应装置 | 2016.03.30 | 本发明公开了一种适于8英寸硅外延工艺系统的三氯氢硅供应装置，其特征在于：包括为外延工艺供应物料的左三 |
| 9 | CN105355542A | 一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种采用变温变掺杂流量的双极型晶体管外延片制造方法，采用变温变掺杂工艺，低的起始生长温度 |
| 10 | CN105350014A | 氢气自动供应集成控制系统 | 2016.02.24 | 本发明公开了一种氢气自动供应集成控制系统，包括制氢设备、一级纯化设备、缓冲罐、二级纯化设备、氢气压缩 |
| 11 | CN104409345A | 一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 | 2015.03.11 | 本发明大功率PIN器件硅外延片的制造方法，选用重掺As的N型<100>抛光片，电阻率≤0 |
| 12 | CN104103499A | 一种8″肖特基管用硅外延片的制造方法 | 2014.10.15 | 本发明公开了一种8″肖特基管用硅外延片的制造方法，其步骤为：选择合适的气腐流量和气腐时间，减小气腐杂 |
| 13 | CN203824535U | 一种桶式基座面心偏差检测仪 | 2014.09.10 | 本实用新型公开了一种桶式基座面心偏差检测仪，该检测仪是一种在密闭塑料外壳中安装有数显仪表、开关、电池 |
| 14 | CN102332497B | 毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法 | 2014.03.19 | 本发明涉及硅外延片，具体涉及毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法，其所采用的技术方案为：毫米波雪崩二 |
| 15 | CN102290337B | 低压TVS用硅外延片的制造方法 | 2013.04.03 | 本发明涉及一种硅外延片的制造方法，具体是指低压TVS用硅外延片的制造方法，其采用的技术方案如下：在N |
| 16 | CN202246853U | 一种用于平板硅外延炉的冷却水分配板 | 2012.05.30 | 本实用新型涉及一种分配板，尤其是涉及一种用于平板硅外延炉的冷却水分配板。其所采用的技术方案是：水流通 |
| 17 | CN102332497A | 毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法 | 2012.01.25 | 本发明涉及硅外延片，具体涉及毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法，其所采用的技术方案为：毫米波雪崩二 |
| 18 | CN102290337A | 低压TVS用硅外延片的制造方法 | 2011.12.21 | 本发明涉及一种硅外延片的制造方法，具体是指低压TVS用硅外延片的制造方法，其采用的技术方案如下：在N |
| 19 | CN101256958B | 一种IGBT硅外延片的制造方法 | 2010.06.02 | 本发明公开了一种IGBT硅外延片的制造方法，选用重掺硼的P型<100>抛光片，电阻率≤0.02Ωcm |
| 20 | CN101311340B | 硅反外延片的制造方法及其专用设备 | 2010.06.02 | 本发明公开了一种硅反外延片的制造方法，首先设计和制造了硅反外延片专用的反外延设备，采用了外延层掺杂用 |
| 21 | CN101311340A | 硅反外延片的制造方法及其专用设备 | 2008.11.26 | 本发明公开了一种硅反外延片的制造方法，首先设计和制造了硅反外延片专用的反外延设备，采用了外延层掺杂用 |
| 22 | CN101256958A | 一种IGBT硅外延片的制造方法 | 2008.09.03 | 本发明公开了一种IGBT硅外延片的制造方法，选用重掺硼的P型<100>抛光片，电阻率≤0.02Ωcm |
| 23 | CN100390937C | 5英寸功率MOS管用硅外延片的制造方法 | 2008.05.28 | 本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，其技术工艺在于：选择合适的气体腐蚀流量和气体腐蚀 |
| 24 | CN101047122A | 6″VDMOS管用硅外延片的制造方法 | 2007.10.03 | 本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，首先衬底片的选用优为重要，选用的衬底片既要符合器 |
| 25 | CN1845303A | 5″功率MOS管用硅外延片的制造方法 | 2006.10.11 | 本发明涉及一种功率VDMOS管用硅外延片的制造方法，其技术工艺在于：选择合适的气腐流量和气腐时间，减 |
| 26 | CN2817075Y | PIN开关管用硅外延片 | 2006.09.13 | 本实用新型涉及一种PIN开关管用硅外延片，它包括衬底和外延层，且外延层的浓度低于10<SUP>13< |
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